День рождения Жореса Ивановича Алферова

День рождения Жореса Ивановича Алферова

Выпускник ЛЭТИ, легендарный российский физик, лауреат Нобелевской премии Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года.

15.03.2023 430

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в городе Витебске Белорусской ССР. В годы Великой Отечественной войны он вместе с семьей переехал в Туринск (Свердловская область), где отец работал директором целлюлозно-бумажного завода. После войны Алферовы вернулись в разрушенный войной Минск, где Жорес окончил с золотой медалью среднюю школу № 42 и поступил в Белорусский политехнический институт (ныне Белорусский национальный технический университет) на энергетический факультет.

В 1948 году Жорес Алферов переехал в Ленинград и поступил на факультет электронной техники ЛЭТИ. В 1952 году окончил вуз с отличием по специальности «Электровакуумная техника». Будучи студентом, Ж.И. Алферов принимал активное участие в деятельности студенческого строительного движения, которое набирало обороты. В 1949 г. участвовал в строительстве Красноборской ГЭС – одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.

Свой путь в науке Жорес Иванович начал еще в студенческие годы. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых пленочных фотоэлементов. В течение нескольких лет возглавлял студенческое научное общество (СНО) факультета электронной техники.

После окончания ЛЭТИ Ж.И. Алферов был направлен на работу в Ленинградский физико-технический институт. В качестве научного сотрудника лаборатории В.М. Тучкевича принимал участие в разработке первых советских транзисторов.

В начале 60-х годов Ж.И. Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Сделанное им открытие гетеропереходов и новых физических явлений – «сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать новые, перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

«Успешное решение Ж.И. Алферовым проблемы гетеропереходов определилось рядом его личных качеств. В их числе – характерный для него физический подход к изучаемым явлениям, широкий охват проблемы, глубокая интуиция, часто помогавшая найти оптимальные варианты, и умение увлечь коллектив молодых сотрудников чрезвычайно интересной, хотя и очень трудной задачей».

Выпускник ЛЭТИ 1963 года, заведующий лабораторией фотоэлектрических преобразователей ФТИ им. А.Ф. Иоффе, профессор Вячеслав Михайлович Андреев

Под научным руководством Жореса Ивановича Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, результатом которых стало создание фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций и сейчас являются одним из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.

Благодаря фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах, которые позволяют существенно сэкономить электроэнергию. Жорес Иванович также занимался разработкой лазеров на основе квантовых точек, способных снизить их электропотребление лазеров.

На основе открытий Ж.И. Алферова появились технологии и устройства, без которых невозможна современная жизнь – лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, мобильные телефоны, устройства, детектирующие товарные ярлыки и многое другое.

В 1961 году Ж.И. Алферов защитил кандидатскую диссертацию. В 1970 году – доктор физико-математических наук.

В 2000 году Жоресу Ивановичу Алферову была присуждена Нобелевская премия по физике за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники.

«10 октября 2000 г. я по какой-то надобности зашел в кабинет Алферова, где его помощница Наталья Эмильевна стала мне объяснять, что Жорес Иванович вышел на несколько минут, так как ему звонят из-за границы и почему-то не на его телефон, а на телефон в приемной дирекции института. В этот момент в распахнувшуюся дверь собственного кабинета вошел ошалевший Жорес Иванович, восторженно восклицая: «Мне Нобеля дали!». Мы, конечно, бросились его поздравлять».

Выпускник ЛЭТИ 1978 года, заместитель директора Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе Николай Алексеевич Берт

Понимая неразрывную связь науки и образования, академик Ж.И. Алферов формировал систему подготовки научных кадров по новейшим направлениям науки и техники, основанную на широком привлечении к учебному процессу академических институтов и ведущих ученых РАН.

Используя тесную связь с ЛЭТИ, Жорес Иванович Алферов в 1973 году создал и возглавлял на родном факультете электронной техники первую в стране базовую кафедру оптоэлектроники в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, преподавателями которой стали известные ученые. Ее основание стало началом деятельности академика по созданию целостной образовательной структуры.

«Мотивация ее создания состояла в том, что для подготовки специалистов мирового уровня необходимо максимально приблизить процесс образования к процессу научных исследований, а для этого необходимо привлечь к чтению лекций профессоров, которые являются лидерами в своих областях. Необходимо, чтобы студенты с третьего курса приступали к научной работе в лабораториях и чтобы у них появлялись свои научные руководители из числа реально работающих ученых. Такой подход к подготовке кадров в науке был по-настоящему инновационным и продемонстрировал несомненный успех».

Выпускник ЛЭТИ 1981 года, член-корреспондент РАН, заведующий лабораторией физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе, профессор Виктор Михайлович Устинов

В 1987 г. он создал физико-технический лицей, в 1988 г. – организовал физико-технический факультет в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете.

В 2002 г. по инициативе Ж.И. Алферова постановлением президиума РАН создан Академический физико-технологический университет, который в 2006 г. получил статус государственного учреждения высшего профессионального образования. Созданные образовательные и научно-исследовательские структуры в 2009 г. были объединены и получили название Санкт-Петербургский академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (ныне – Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж.И. Алферова РАН).

Академик Ж.И. Алферов – автор более 500 научных трудов и свыше 50 изобретений. Его работы отмечены отраслевыми и государственными премиями СССР, России, ФРГ, США, Японии и других стран.

Жорес Иванович был избран пожизненным членом института Б. Франклина, иностранным членом академий наук США, Беларуси, Украины, Польши, Болгарии. Он является почетным гражданином Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и других городов России и зарубежья. Почетным доктором и профессором его избрали ученые советы многих университетов России, Японии, Китая, Швеции, Финляндии, Франции.

Ж.И. Алферов был выдающимся организатором науки. С 1991 по 2017 год – вице-президент Российской академии наук. С 1989 года – председатель Ленинградского научного центра РАН (ныне – Санкт-Петербургский научный центр РАН). С 1995 – депутат всех созывов Государственной Думы Российской Федерации. С 1987 года по май 2003 – директор Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН.

Жорес Иванович Алферов скончался 2 марта 2019 года, не дожив несколько дней до 89-летия.

Использованы материалы из книги «Нобелевский выпускник ЛЭТИ (к 90-летию Ж.И. Алферова)», 2020 г.