Патент № 2671349. Способ получения монокристаллического SiC

Авторы

Авров Дмитрий Дмитриевич, старший научный сотрудник каф. МНЭ; Быков Юрий Олегович, электроник НОЦ ЦМИД; Гладкий Сергей Витальевич, старший научный сотрудник ИЦ ЦМИД, Лебедев Андрей Олегович, профессор каф. МНЭ; Таиров Юрий Михайлович, профессор каф. МНЭ.

Описание

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC – широко распространенного материала, используемого для изготовления различных типов полупроводниковых приборов, с недостижимыми ранее параметрами, силовой, СВЧ электроники и фотоники, работающих в экстремальных условиях: высокие температуры, химически агрессивная среда, высокий уровень радиации. Для реализации указанных преимуществ карбида кремния необходимо уметь выращивать слитки SiC высокого структурного совершенства.

В разработанном способе получения монокристаллического слитка карбида кремния выращивание проводят в атмосфере газовой смеси инертного газа и водорода определенного состава, причем подачу газовой смеси осуществляют непосредственно в ростовой тигель в зону расположения источника карбида кремния .

Технический результат

Способ позволяет достичь технического результата, заключающегося в снижении затрат на проведение способа, повышении его производительности и улучшении качества монокристаллических слитков карбида кремния.

Патент на сайте Федерального института промышленной собственности