Конкурсы грантов по направлению «Микроэлектроника». Продолжение

Конкурсы грантов по направлению «Микроэлектроника». Продолжение

Российский научный фонд извещает о проведении конкурсов на получение грантов на выполнение научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента РФ в научно-технологической сфере по направлению «Микроэлектроника».

12.10.2023 370

Российский научный фонд продолжает реализацию конкурсов на получение грантов по мероприятиям: «Проведение ориентированных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента РФ в научно-технологической сфере» и «Проведение прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента РФ в научно-технологической сфере» по направлению «Микроэлектроника».

Объявлены конкурсные процедуры по следующим темам:

В области производства интегральных схем:

Лот №1, тема: «Разработка и внедрение технологии аттестации сверх чистых химических материалов для технологии микроэлектроники с проектными нормами от 65 нм, шифр «Анализ – А1»».
Лот №2, тема: «Разработка и внедрение технологии аттестации сверх чистых химических материалов для технологии микроэлектроники с проектными нормами от 65 нм, шифр «Анализ – А2»».
Лот №3, тема: «Разработка и внедрение технологии аттестации сверх чистых химических материалов для технологии микроэлектроники с проектными нормами от 65 нм, шифр «Анализ – А3»».
Лот №4, тема: «Разработка и производство загрузчика (распаковщика) полупроводниковых пластин для производства интегральных схем (SMIF-загрузчика)».
Лот №5, тема: «Исследование влияния легирующих элементов и покрытий материала проволочных выводов на процессы формирования интерметаллидов и надёжность микросварных соединений Al-Au и Al-Cu интегральных микросхем»
Лот №6, тема: «Разработка технологии изготовления микропроволоки из Au и Cu, стойкой к интерметаллическим соединениям для сборки интегральных микросхем».
Лот №7, тема: «Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания ячейки энергонезависимой памяти ReRAM в BEOL для микросхем c проектными нормами 180 нм, шифр «Кремень БРР-180»».
Лот №8, тема: «Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания ячейки энергонезависимой памяти ReRAM на уровне FEOL для микросхем c проектными нормами 180 нм, шифр «Вакуоль ФРР- 180»».
Лот №9, тема: «Разработка технологии аналитических исследований элементов ЭКБ с резистивным переключением, шифр «ЛеДа»».
Лот №10, тема: «Разработка процессов ALE, шифр «PEALE»».
Лот №11, тема: «Поисковое исследование методов предсказательного моделирования состояния ячеек энергонезависимой памяти на основе машинного обучения, шифр «Состояние-ИИ»».
Лот №12, тема: «Исследование и разработка технологических процессов атомно-слоевого осаждения с использованием разрабатываемых в РФ материалов для современных технологий микроэлектроники, шифр «Атом-О»».
Лот №13, тема: «Исследование и разработка технологических процессов формирования функциональных слоев методом АСО на основе оксидов переходных металлов для нового типа энергонезависимой ReRAM памяти с их апробацией для создания ячеек памяти в BEOL и FEOL, шифр «Память-Р»».
Лот №14, тема: «Создание программного обеспечения для автоматизации проектирования и программирования гетерогенных реконфигурируемых интегральных схем».

В области производства полупроводниковых приборов:

Лот №1, тема: «Исследование процессов диагностики плазменных процессов, шифр «Агнос»».
Лот № 2, тема: «Разработка технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов с наносекундным временем переключения».

В области производства оптоэлектронных приборов, в том числе полупроводниковых лазеров, микродисплеев, фотоприемных матриц:

Лот №1, тема: «Разработка фотонных компонентов для обеспечения отечественного производства оптических трансиверов на скорость 10 Гбит/с и более».
Лот №2, тема: «Разработка, оптимизация и исследования светоизлучающих OLED-структур нового поколения на основе органических полупроводниковых материалов».
Лот №3, тема: «Разработка нового поколения отечественных органических полупроводниковых материалов и технологий их синтеза для органических светодиодных дисплейных технологий».
Лот №4, тема: «Разработка схемотехнических и топологических решений пиксельных ячеек активной матрицы на основе технологии тонкоплёночных транзисторов (TFT) на органических полупроводниках для OLED дисплеев».
Лот №5, тема: «Разработка серии столов для электростатического удержания пластин для вакуумного оборудования». 
Лот №6, тема: «Разработка газовой системы установки МОС-гидридной эпитаксии для реализации технологии эпитаксиального роста А3В5 гетероструктур, предназначенных для создания источников лазерного излучения на основе гетерогенно-интегрированных волноводных структур SOI/A3B5».
Лот №7, тема: «Разработка технологии формирования на тыльной стороне входных окон ЭОП фотокатода на основе поликристаллических алмазных плёнок, легированных бором и примесью, обеспечивающей чувствительность в видимом диапазоне».
Лот №8, тема: «Разработка технологических процессов формирования Si/A3B5 гетерогенно-интегрированных структур и источников лазерного излучения на их основе».
Лот №9, тема: «Разработка комплекта интегральных электронных компонентов и конструкций оптических приемопередающих модулей со скоростями не менее 5, 12 и 20 Гбит/с».

В области производства фотонных интегральных схем:

Лот №1, тема: «Разработка электронно-лучевого испарителя с высокой производительностью, равномерностью и воспроизводимостью для получения эпитаксиальных слоев германия на пластинах диаметром 150 мм».
Лот №2, тема: «Исследование и разработка технологических подходов к изготовлению планарных интегрально-оптических резонансных структур на основе кремния и нитрида кремния, унифицированных для сборки с полупроводниковыми лазерными модулями».
Лот №3, тема: «Исследование и разработка технологических подходов к изготовлению полупроводниковых лазерных модулей с распределенной обратной связью, унифицированных для сборки с планарными интегрально-оптическими резонансными структурами на основе кремния и нитрида кремния».
Лот №4, тема: «Исследование и разработка технологических решений сборки фотонных интегральных схем, содержащих активные и пассивные волноводные элементы, для реализации компактных лазерных генераторов высокой когерентности».
Лот №5, тема: «Разработка технологического маршрута изготовления элементов связи периодического типа моды лазерной структуры и моды канального волновода на КНИ».
Лот №6, тема: «Разработка технологического процесса гетерогенной интеграции лазерной гетероструктуры А3В5 и пассивной волноводной структуры на основе КНИ».
Лот №7, тема: «Разработка специализированной оснастки процесса гетерогенной интеграции активных и пассивных структур».
Лот №8, тема: «Разработка специализированной оснастки межоперационного контроля процесса гетерогенной интеграции активных и пассивных структур».
Лот №9, тема: «Разработка программных средств систем экстракции параметров моделей элементов связи периодического типа моды лазерной структуры и моды канального волновода на КНИ».
Лот №10, тема: «Разработка конструкции и технологии эффективных узлов ввода-вывода для фотонных интегральных схем на технологической платформе InP».

В области приборов СВЧ и терагерцового диапазона (в части чипов и микроэлектронных составляющих):

Тема: «Разработка интеллектуальных программных средств для автоматизированного проектирования схемных решений и эскизов топологий GaAs СВЧ МИС: ступенчатые аттенюаторы, ступенчатые фазовращатели, коммутаторы и усилительные каскады».

В области производства приборов микросистемной техники (МЭМС, МОЭМС, МАС) и миниатюрных электронных модулей на основе микроэлектронных технологий полупроводниковых приборов:

Лот №1, тема: «Разработка оптических преобразователей линейных и угловых перемещений нанометрового, субмикронного и микронного разрешения и технологии их производства».
Лот №2, тема: «Разработка технологии создания кодирующих и аналитических структур для угловых и линейных оптических преобразователей перемещений нанометрического и субмикронного разрешения».
Лот №3, тема: «Разработка программно-аппаратных средств проектирования и управления оптическими энкодлерами и МОЭМС, алгоритмов интерполяции и контроля высокоточных многокоординатных перемещений».
Лот №4, тема: «Исследование, разработка оборудования и технологических операций получения алюмоматричных композитов на основе различных форм углерода с анизотропной теплопроводностью свыше 650 Вт/м*К, обладающих необходимым комплексом термомеханических характеристик».
Лот №5, тема: «Исследование и разработка конструкции микросборок с применением алюмоматричных композитов, обладающих анизотропной теплопроводностью и отработка технологических операций изготовления микросборок с повышенной надежностью и удельными характеристиками».
Лот №6, тема: «Исследование и разработка аппаратно-программного комплекса для контроля качества сборки электронных модулей и микросборок (ЭМ И МС) по температурным полям и переходным тепловым характеристикам».
Лот №7, тема: «Технология изготовления миниатюрного электронного модуля контроля высокочастотного электрического тока с гальванической изоляцией на основе магниторезистивных наноструктур».

В области производства приборов на основе квантовых эффектов и элементов наноэлектроники и молекулярной электроники:

Лот №1, по теме: «Разработка конструкции и технологии изготовления одночастотных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона 4-9 мкм».
Лот №2, по теме: «Технология изготовления квантово-каскадных лазеров с двойным металлическим и поверхностно-плазмонным волноводами для генерации в терагерцовом диапазоне (от 2 до 5 ТГц)». 

 

В зависимости от темы, проведение проектов планируется в течении двух или трех лет в 2023 - 2025 гг., размер гранта до 90 млн. руб.

Прием заявок осуществляется через ИАС РНФ до 17:00 07 ноября 2023 года.

Более подробная информация на сайте.