Яковлев Георгий Евгеньевич

Яковлев Г.Е.

Ассистент кафедры микро- и наноэлектроники

С отличием окончил Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В.И. Ульянова (Ленина) в 2014 году по специальности «Электроника и наноэлектроника». В 2018 году закончил очную аспирантуру по специальности «Физика полупроводников» и защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Предметы и курсы

Компьютерные технологии и моделирование в электронике. Физика конденсированного состояния. Квантовая механика и статистическая физика. Методы диагностики структур наноэлектроники и фотоники.

Основные научные интересы

Физика полупроводников, электрохимическое вольт-фарадное (ECV) профилирование, методы численного моделирования, светодиоды, HEMT, CCD, HIT.

Основные публикации

  • Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования [Текст] / Г.Е. Яковлев, Д.С. Фролов, А.В. Зубкова [и др.] // ФТП. — 2016. — Т. 50, № 3. — С. 324–330.
  • Диагностика морфологии и электронного спектра pHEMT-гетероструктур [Текст] / Д.С. Фролов, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков [и др.] // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". — 2016. — № 2. — С. 6–11.
  • Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции [Текст] / М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.В. Рыков [и др.] // ЖТФ. — 2017. — Т. 87, № 10. — С. 1539–1544.
  • Simulation and characterization of AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT structures with quantum wells for SHF integrated circuits [Text] / A. Dudin, I. Kogan, G. Yakovlev [et al.] // Proc. of 2017 11th Int. Workshop on the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits (EMCCompo). — no. 7998092. — St. Petersburg.: IEEE, 2017. — P. 108—111
  • Исследование PHEMT-структур с квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией [Текст] / А.Л. Дудин, М.С. Миронова, Г.Е. Яковлев [и др.] // Прикладная физика. — 2017. — № 3. — С. 78–84.
  • Яковлев Г.Е. Электрохимическое вольт-фарадное профилирование арсенид- и нитридгаллиевых HEMT гетероструктур [Текст] / Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". — 2017. — № 10. — С. 5–12.
  • Яковлев, Г.Е. Электрохимическое вольт-фарадное профилирование неоднородно-легированных арсенидгаллиевых светоизлучающих гетероструктур [Текст] / Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". — 2018. — № 4 — С. 5-12.
  • Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенидгаллиевых светоизлучающих и pHEMT структур с квантоворазмерными областями [Текст] / Г.Е. Яковлев, М.В. Дорохин, В.И. Зубков [и др.] // ФТП. — 2018. — Т. 52, № 8. — С. 873–880.
  • G. Yakovlev, V. Zubkov, А. Solomnikova, O. Derevianko. Electrochemical capacitance-voltage profiling of nonuniformly doped GaAs heterostructures with SQWs and MQWs for LED applications // Turkish Journal of Physics 42 (2018) 433-442.
  • Иванова Я.В., Яковлев Г.Е., Зубков В.И. Эмиссионные процессы взаимодействия квантовой ямы с донорным дельта-слоем в pHEMT-гетероструктурах // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника № 5 (2018), С. 44-50.
  • Д.С. Фролов, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков. Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси // Физика и техника полупроводников 53 (02), 281-286 (2019).