Яковлев Георгий Евгеньевич

Яковлев Г.Е.

Доцент кафедры микро- и наноэлектроники

С отличием окончил Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В.И. Ульянова (Ленина) в 2014 году по специальности «Электроника и наноэлектроника». В 2017 г. проходил стажировку в Датском техническом университете (DTU) на кафедре квантовой физики и информационных технологий (QPIT). В 2018 году закончил очную аспирантуру по специальности «Физика полупроводников» и защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Г.Е. Яковлев является лауреатом стипендии Ученого Совета СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Правительства РФ и Президента РФ; являлся призером V Ежегодной очной научно-технической конференции молодых специалистов «Техника и технология современной фотоэлектроники» и Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, победителем конкурса по Программе «УМНИК», трехкратным победителем конкурса научных достижений студентов и аспирантов СПбГЭТУ «ЛЭТИ», двухкратным победителем конкурса научно-исследовательских проектов СПбГЭТУ «ЛЭТИ», участником Всероссийского конкурса «Лидеры России». Участник встречи Президента России В.В. Путина с молодыми учеными в рамках III Конгресса Молодых Ученых (2023 г.) .

WoS ResearcherID: O-8906-2015

Scopus AuthorID: 57188697042

ORCID: 0000-0002-7182-7561

Предметы и курсы

Компьютерные технологии и моделирование в электронике. Физика конденсированного состояния. Физика полупроводников. Квантовая механика и статистическая физика. Методы диагностики структур наноэлектроники и фотоники.

Основные научные интересы

Физика полупроводников, электрохимическое вольт-фарадное (ECV) профилирование, методы численного моделирования, светодиоды, HEMT, CCD, HIT.

Основные публикации

  • Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования // Физика и техника полупроводников 50 (3), 324 (2016). Impact factor 0.759.
  • Исследование PHEMT-структур с квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией // Прикладная физика 3, 78 (2017).
  • Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции // Журнал технической физики 87 (10), 1539 (2017). DOI: 10.21883/JTF.2017.10.44999.1989. Impact factor 0.775.
  • Программа обработки и представления результатов ECV-измерений: Свид-во о регистрации программы для ЭВМ. Рос. Федерация / Яковлев Г.Е.; заявитель и правообладатель Г.Е. Яковлев. – №2017661428; выд. 12.10.2017
  • Особенности электрохимического вольт-фарадного про-филирования арсенидгаллиевых светоизлучающих и pHEMT структур с квантоворазмерными областями // Физика и техника полупроводников 52 (8), 873 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46212.8708. Impact factor 0.759.
  • Electrochemical capacitance-voltage profiling of non-uniformly doped GaAs heterostructures with SQW and MQW for LED applications // Turk. J. Phys. 42 (1), 343 (2018). DOI: 10.3906/fiz-1803-23. Impact factor 0.466.
  • Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси // Физика и техника полупроводников 53 (2), 281 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47114.8966. Impact factor 0.759.
  • Emission processes of the interaction between the quantum well and donor delta layer in heterostructures for pHEMTs // Turk. J. Phys. 43 (3), 243 (2019). DOI: 10.3906/fiz-1812-12.  Impact factor 0.466.
  • Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов // Письма в журнал технической физики 45 (17), 39 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.17.48223.17880.  Impact factor 1.012.
  • Active and buffer layers of GaN HEMT: ECV profiling and 2DEG calculation // Materials Research Innovations 24 (7), 402 (2020). DOI: 10.1080/14328917.2019.1688559. Impact factor 1.173.
  • Study of GaP Nucleation Layers Grown on Si by Plasma‐Enhanced Atomic Layer Deposition // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 2020, 217(4), 1900532. DOI: 10.1002/pssa.201900532. Impact factor 1.863.
  • Back-side-illuminated CCDs for EBCCDs: “dead-layer” compensation // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 32(1), 73 (2021). DOI: 10.1007/s10854-020-04631-w. Impact factor 2.222.
  • Integration of electrochemical capacitance–voltage characteristics: a new procedure for obtaining free charge carrier depth distribution profiles with high resolution // Journal of Solid State Electrochemistry, 25, 797 (2021). DOI: 10.1007/s10008-020-04855-0. Impact factor 2.639.
  • Диагностика полупроводниковых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования // Заводская лаборатория. Диагностика материалов 87 (1), 35. DOI: 10.26896/1028-6861-2021-87-1-35-44.​​
  • Plasma-deposited multilayer GaP/Si P-I-N structure for tandem silicon-based solar cells // ACS Appl. Energy Mater. 2022 (5), 5374. DOI: 10.1021/acsaem.1c02707
  • Формирование и исследование квантовой ямы InP, полученной методом газофазной эпитаксии на подложке GaP // ПЖТФ, 2022.
  • ПАТЕНТ № 2802862 «Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых гетероструктурах», от 05.09.2023
  • Precision assessment of carrier concentration in semiconductors with negative electron affinity // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 35(17), 1113 (2024). DOI: 10.1007/s10854-024-12771-6. Impact factor 2.925.