Сотрудничество

Сотрудники РЦФТТ участвовали в выполнении следующих научных работ:

  1. «Разработка и исследование характеристик электронных приборов на основе монокристаллического алмаза». Х/д № Ф-248 между ИПФ РАН и СПбГЭТУ в рамках выполнения проекта по Постановлению 220 Правительства РФ «Полупроводниковый CVD алмаз для мощных и высокочастотных электронных приборов» (2014-2016 гг.).
  2. «Разработка технологических процессов выращивания светоизлучающих гетероструктур в системе AlInGaN и изготовления светодиодных чипов для серийного производства мощных светодиодов нового поколения. Разработка диагностической базы и технологического программного обеспечения» комплексный проект по договору №13.G25.31.0040 от 07.09.2010 между ЗАО «Светлана-ОЭ» и Минобрнауки РФ по Постановлению Правительства РФ № 218 (2010-2012 гг.)
  3. Сотрудники РЦФТТ участвовали в выполнении следующих научных работ:3. "Создание комплексной системы электрофизической и оптической диагностики наноструктур для голубых и белых светодиодов как компонентной базы энергоэффективных световых устройств" Мероприятие 1.1 ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 г. (2012-2013 гг.)
  4. «Исследование подложек и эпитаксиальных структур арсенида индия методом фурье-спектроскопии с целью оптимизации технологии изготовления ИК ФПУ" х/д с ОАО "ЦНИИ "Электрон" (2012-2014 гг.)»
  5. «Диагностика твердотельных фотоэлектронных структур на основе кремния и соединений А3В5» Х/д с ОАО «Центральный научно-исследовательский институт «Электрон» (2013-2014 гг.).
  6. «Создание и исследование структур, содержащих нанослои и массивы квантовых точек, как основы высокоэффективных оптических излучателей». Договор ГЗП/РЦФТТ-1 на 2013-2015 гг.
  7. «Проведение реинжиниринга датчиков с S-образной вольтамперной характеристикой». Хоз/договор с Всероссийским научно-исследовательским институтом экспериментальной физики ФГУП "РФЯЦ–ВНИИЭФ"». 2017 г.