О руководителе

В.И. Зубков в 1982 г. c отличием окончил электрофизический факультет ЛЭТИ по специальности «Диэлектрики и полупроводники». Кандидат физико-математических наук (1987), доцент (2003), доктор физико-математических наук (2007), профессор (2011). Общий трудовой стаж 35 год, в том числе стаж научно-педагогической работы 20 лет. С кафедрой МНЭ СПбГЭТУ трудовая деятельность связана с 1982 г.

В настоящее время читает лекции, ведёт практические и лабораторные занятия по курсу «Физика полупроводников», «Компьютерные технологии и моделирование в электронике», «Информационные технологии в наноэлектронике и микросистемной технике», а также ведёт практические и лабораторные занятия по курсу «Физика конденсированного состояния».

Подготовил трех кандидатов наук, руководит одним аспирантом, а также постоянно руководит научной работой студентов бакалавриата и магистратуры.

Главный редактор, руководитель направления «Физика» журнала «Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ"».

Член диссертационного совета Д 212.234.10.

Член оргкомитета Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике.

Являлся членом постоянной комиссии по информационным технологиям при Учёном Совете СПбГЭТУ, секретарем учебно-методической комиссии УМО по специальности «Электроника и твёрдотельная микроэлектроника» (2004-2014).

Эксперт Федеральной Целевой Программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям», эксперт РАН (Ид. номер 2016-01-7723-0036).

Рецензент журналов Journal of Applied Physics, Физика и техника полупроводников, Письма в журнал технической физики, Superlattice and Microstructures.

В течение последних 5 лет научная активность д.ф.-м.н., проф. В.И. Зубкова сосредоточена в области экспериментальных и теоретических исследований новых перспективных материалов и структур для наноэлектроники и фотоники. С 2014 г. важнейшим направлением исследований является физика и полупроводниковое применение монокристаллического и эпитаксиального алмаза. В 2014-2017 гг. проф. В.И. Зубков являлся участником международного коллектива исполнителей проекта по Постановлению 220 Правительства РФ «Полупроводниковый CVD алмаз для мощных и высокочастотных электронных приборов».

Фотоприемные и светоизлучающие структуры и приборы относятся ко второму направлению научной активности В.И. Зубкова. По результатам исследований и практической разработки совместно с ЦНИИ "Электрон" гибридных фотоприемников с фотокатодом выполнен обзор, в которых отражены наши достижения в данной области [Айнбунд М.Р., et al. Гибридные фотоэлектронные приборы (Обзор). Успехи прикладной физики, 2018].

Для оптоэлектронных применений исследовались наноструктуры с квантовыми ямами InGaAs/GaAs и дельта-легированными слоями [Я.В. Иванова, et al. Экспериментальное обнаружение резонансного туннелирования в легированной структуре с одиночной квантовой ямой методом адмиттансной спектроскопии. Письма в ЖТФ, 2018]. Выполняемые работы имели целью создание наноструктур фотоники с улучшенными характеристиками на видимый, ультрафиолетовый и инфракрасный диапазон электромагнитных волн. Проводился анализ спектра квантоворазмерных уровней в одиночных, множественных квантовых ямах [M.S. Mironova, et al. Self-consistent simulation of GaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures photoluminescence spectra and its application to pHEMT structures diagnostics. Semiconductors, 2018] и массивах квантовых точек, а также моделирование и измерения наноструктур с дельта-образным профилем легирования примеси [G.E. Yakovlev, et al. Specific features of the electrochemical capacitance-voltage profiling of GaAs LED and pHEMT structures with quantum-confined regions. Semiconductors, 2018], в том числе в эпитаксиальном CVD-алмазе. В результате был разработан ряд оригинальных запатентованных алгоритмов для численного расчета электронного спектра гетероструктур методами самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шредингера [M.S. Mironova, V.I. Zubkov, et al. Self-consistent simulation of GaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures photoluminescence spectra and its application to pHEMT structures diagnostics. Semiconductors, 2018] и др.

Проф. В.И.Зубков по совместительству является главным научным сотрудником АО "ЦНИИ "Электрон".

WoS Researcher ID ABC-9850-2020
Scopus AuthorID 35335869300
ORCID 0000-0001-6830-6899