Публикации коллектива

Учебныe пособия

  1. В.И. Зубков, Г.Е. Яковлев. Физика полупроводников: Учебно-методическое пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2022. – 73 с.
  2. Г.Н. Виолина, В.И. Зубков. Физика полупроводников: Учебное пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2017. – 106 с.
  3. Зубков В. И., Кучерова О. В., Зубкова А. В. Методы диагностики структур наноэлектроники и фотоники: учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2015. 120 с.

Статьи, индексируемые в б/д Scopus

  1. Yakovlev, G., Zubkov, V. Back-side-illuminated CCDs for EBCCDs: "dead-layer" compensation. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 32(1), 73 (2021). DOI: 10.1007/s10854-020-04631-w. IF 2.222.
  2. Yakovlev, G., Zubkov, V. Integration of electrochemical capacitance–voltage characteristics: a new procedure for obtaining free charge carrier depth distribution profiles with high resolution. Journal of Solid State Electrochemistry, 25, 797 (2021). DOI: 10.1007/s10008-020-04855-0. IF 2.639.
  3. Anna Solomnikova, Vadim Lukashkin, Vasily Zubkov, Alexey Kuznetsov and Alexander Solomonov Carrier concentration variety over multisectoral boron-doped HPHT diamond. Semiconductor Science and Technology (Q1, IF=2.452), 2020, Vol. 35, N 9, p. 095005. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab9a5f. [Q1 в 2020 г.]
  4. G. Yakovlev, V. Zubkov, A. Solomnikova. Active and buffer layers of GaN HEMT: ECV profiling and 2DEG calculation // Materials Research Innovations. 2019, DOI: 10.1080/14328917.2019.1688559.
  5. Zubkov, V., Solomnikova, A., Koliadin, A., Butler, J.E. Analysis of doping anisotropy in multisectorial boron-doped HPHT diamonds, Materials Today Communications , 2020, 24,100995 (1-6). https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2020.100995 (IF=2.89)
  6. Solomnikova, A.V., Lukashkin, V.A., Derevianko, O.V. Peculiarities of admittance spectroscopy study of wide bandgap semiconductors on the example of diamond, E3S Web of Conferences, 2020, 161, 01107. https://doi.org/10.1051/e3sconf/202016101107
  7. Gudovskikh, A.S., Uvarov, A.V., Morozov, I.A., Bukatin, A.S., Baranov, A.I., Kudryashov, D.A., Kalyuzhnyy, N.A., Mintairov, S.A., Zubkov, V.I., Yakovlev, G.E., Kleider, J.-P. Study of GaP Nucleation Layers Grown on Si by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Volume 217, Issue 4, 2020, 1900532
  8. Zubkov, V.I., Mironov, D.E., Solomonov, A.V. Vacuum-semiconductor hybrid photoelectric device for near IR-region. Journal of Physics: Conference Series, Volume 1313, Issue 1, 2019, 0120632. 6th International Conference on Vacuum Technique and Technology, VTT 2019; Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI" Saint Petersburg; Russian Federation; 18-20 June 2019
  9. Yakovlev, G.E., Nyapshaev, I.A., Shakhrai, I.S., Andronikov, D.A., Zubkov, V.I., Terukov, E.I. Through Concentration Profiling of Heterojunction Solar Cells, Technical Physics Letters, Volume 45, Issue 9, 2019, Pages 890-893
    Яковлев Г.Е., Няпшаев И.А., Шахрай И.С., Андроников Д.А., Зубков В.И., Теруков Е.И. Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов // Письма в ЖТФ, 2019, том 45, вып. 17, c.39-42. doi: 10.21883/PJTF.2019.17.48223.17880. (IF=1.012)
  10. Bessolov, V.N., Konenkova, E.V., Orlova, T.A., Rodin, S.N., Seredova, N.V., Solomnikova, A.V., Shcheglov, M.P., Kibalov, D.S., Smirnov, V.K. Properties of Semipolar GaN Grown on a Si(100) Substrate, Semiconductors, 53(7), p. 989-992, 2019. DOI: 10.1134/S1063782619070054
  11. Yakovlev, G., Zubkov, V. ECV profiling of GaN HEMT heterostructures, Journal of Physics: Conference Series, Volume 1199, Issue 1, 2019, 012032. 20th Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto and Nanoelectronics, RYCPS 2018; St. Petersburg; Russian Federation; 26-30 November 2018
  12. Sobolev, S.M., Yakovlev, G.E. Simulation of the concentration profiles of GaAs LED and HEMT heterostructures (2019) Journal of Physics: Conference Series, 1199 (1), № 012036, DOI: 10.1088/1742-6596/1199/1/012036
  13. Frolov, D.S., Yakovlev, G.E., Zubkov, V.I. Technique for the Electrochemical Capacitance–Voltage Profiling of Heavily Doped Structures with a Sharp Doping Profile, Semiconductors, Volume 53, Issue 2, 2019, Pages 268-272
    Д.С. Фролов, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков. Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси // ФТП, 2019, т. 53, вып. 2. с. 281-286. DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47114.8966 (IF=0.759)
  14. Bessolov, V., Zubkova, A., Konenkova, E., Konenkov, S., Kukushkin, S., Orlova, T., Rodin, S., Rubets, V., Kibalov, D., Smirnov, V. Semipolar GaN(10–11) Epitaxial Layer Prepared on Nano-Patterned SiC/Si(100) Template. Physica Status Solidi (B) Basic Research, 256(2),1800268, 2019 . DOI: 10.1002/pssb.201800268
  15. Ivanova, I.V., Zubkov, V.I. Study of thermionic and tunnel component contribution in conductance of InGaAs/GaAs heterostructures with a single quantum well by admittance methods, Materials Physics and Mechanics, Volume 41, Issue 1, 2019, Pages 30-35
  16. Ivanova, Y.V., Zubkov, V.I., Solomonov, A.V. Experimental Detection of Resonant Tunneling in the Doped Structure with a Single Quantum Well by the Admittance Spectroscopy Method, Technical Physics Letters, Volume 44, Issue 12, 2018, Pages 1171-1173
    Я.В. Иванова, В.И. Зубков, А.В. Соломонов. Экспериментальное обнаружение резонансного туннелирования в легированной структуре с одиночной квантовой ямой методом адмиттансной спектроскопии // Письма в Журнал технической физики, 2018, т. 44, вып. 24, с. 112-119. DOI: 10.21883/PJTF.2018.24.47038.17426 (IF=1.012)
  17. Yakovlev, G.E., Dorokhin, M.V., Zubkov, V.I., Dudin, A.L., Zdoroveyshchev, A.V., Malysheva, E.I., Danilov, Y.A., Zvonkov, B.N., Kudrin, A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance–Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions (2018) Semiconductors, 52 (8), pp. 1004-1011. DOI: 10.1134/S1063782618080250
    Г.Е. Яковлев, М.В. Дорохин, В.И. Зубков, А.Л. Дудин, А.В. Здоровейщев, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями // ФТП, 2018. – т. 52, вып. 8, с. 873-880. DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46212.8708 (IF=0.759)
  18. Yakovlev, G., Mironova, M., Zubkov, V., Dudin, A. The control of electrophysical properties of GaAs pHEMT heterostructures (2018) Journal of Physics: Conference Series, 1038 (1), № 012034, DOI: 10.1088/1742-6596/1038/1/012034
  19. Yakovlev, G., Zubkov, V. ECV profiling of GaAs and GaN HEMT heterostructures (2018) Journal of Physics: Conference Series, 993 (1), № 012038, DOI: 10.1088/1742-6596/993/1/012038
  20. Shestakova, L.M., Zubkov, V.I. Measuring the distribution of the charge carrier concentration in delta-doped layers based on diamond (2018) Journal of Physics: Conference Series, 993 (1), № 012005, DOI: 10.1088/1742-6596/993/1/012005
  21. M.S. Mironova, V.I. Zubkov, A.L. Dudin, and G.F. Glinskii. Self-consistent simulation of GaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures photoluminescence spectra and its application to pHEMT structures diagnostics. Semiconductors (IF=0.759), 2018, Vol. 52, Iss. 4, pp. 507–510. https://doi.org/10.1134/S106378261804022X.
  22. Ivanova, Y.V., Zubkov, V.I., Derevianko, O.V. Admittance Spectroscopy of Nanoheterostructures: Computer-Controlled Data Acquisition and Modeling of Emission Processes (2018) 2018 International Multi-Conference on Industrial Engineering and Modern Technologies, FarEastCon 2018, № 8602897, DOI: 10.1109/FarEastCon.2018.8602897
  23. Baranov, A.I., Morozov, I.A., Uvarov, A.V., Yakovlev, G.E., Kleider, J.-P. Silicon doping of GaP layers grown by time-modulated PECVD (2018) Journal of Physics: Conference Series, 1124 (4), № 041036, DOI: 10.1088/1742-6596/1124/4/041036
  24. G. Yakovlev, V. Zubkov, A. Solomnikova, O. Derevianko. Electrochemical capacitance-voltage profiling of nonuniformly doped GaAs heterostructures with SQWs and MQWs for LED applications // Turkish Journal of Physics, 2018, vol. 42, p. 433 – 442. doi:10.3906/fiz-1803-23
  25. Dorokhin, M.V., Zaitsev, S.V., Rykov, A.V., Zdoroveyshchev, A.V., Malysheva, E.I., Danilov, Y.A., Zubkov, V.I., Frolov, D.S., Yakovlev, G.E., Kudrin, A.V. Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence (2017) Technical Physics, 62 (10), pp. 1545-1550. DOI: 10.1134/S1063784217100085
    М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.В. Рыков, А.В. Здоровейщев, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, В.И. Зубков, Д.C. Фролов, Г.Е. Яковлев, А.В. Кудрин. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции // Журнал технической физики, 2017, т. 87, вып. 10, с. 1539-1544. DOI: 10.21883/JTF.2017.10.44999.1989. (IF=1.012)
  26. Dudin, A., Kogan, I., Schukov, I., Mironova, M., Yakovlev, G., Frolov, D., Zubkov, V., Glinskii, G. Simulation and characterization of AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT structures with quantum wells for SHF integrated circuits (2017) Proceedings of the 2017 11th International Workshop on the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits, EMCCompo 2017, № 7998092, pp. 108-111. DOI: 10.1109/EMCCompo.2017.7998092
  27. Dubrovskiy, S.V., Zubkov, V.I. Self-consistent solution of schrodinger and poisson equations by means of numerical methods in the LabVIEW development environment (2017) Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference, ElConRus 2017, № 7910828, pp. 1388-1390. DOI: 10.1109/EIConRus.2017.7910828
  28. Shestakova, L., Yakovlev, G., Zubkov, V. Electrochemical capacitance-voltage measurements and modeling of GaAs nanostructures with delta-doped layers (2017) Journal of Physics: Conference Series, 816 (1), № 012022, DOI: 10.1088/1742-6596/816/1/012022
  29. V.I. Zubkov, A.V. Solomnikova, J.E. Post, E. Gaillou, J.E. Butler. Characterization of electronic properties of natural type IIb diamonds // Diamond and Related Materials, 2017, vol. 72, pp. 87–93. DOI: 10.1016/j.diamond.2017.01.011
  30. Frolov, D.S., Zubkov, V.I. Automated instrumentation for nonequilibrium capacitance–voltage measurements at a semiconductor–electrolyte interface (2017) Instruments and Experimental Techniques, 60 (1), pp. 119-121. DOI: 10.1134/S0020441216060014
    Д.С. Фролов, В.И. Зубков. Автоматизированная установка для измерения неравновесных вольт-фарадных характеристик в системе электролит–полупроводник // Приборы и техника эксперимента, 2017, № 1, с. 116–119. DOI: 10.7868/S0032816216060021 (IF=0.68)
  31. G. Yakovlev, D. Frolov, A. Zubkova, V. Zubkov. ECV investigation of ion-implanted photosensitive silicon structures for backside illuminated CCDs // Journal of Physics: Conf. Series, 2016, vol. 769, p.012058 (1-6). doi:10.1088/1742-6596/769/1/012058.
  32. D.S. Frolov, V.I. Zubkov. Frequency dispersion of capacitance-voltage characteristics in wide bandgap semiconductor-electrolyte junctions. Semicond. Sci. Technol. (Q1, IF=2.452), 2016, vol. 31, p. 125013 (6 pp.). http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/31/12/125013
  33. G.E. Yakovlev, D.S. Frolov, A.V. Zubkova, E.E. Levina, V.I. Zubkov, A.V. Solomonov, O.K. Sterlyadkin, and S.A. Sorokin. Investigation of Ion-Implanted Photosensitive Silicon Structures by Electrochemical Capacitance–Voltage Profiling // Semiconductors, 2016, Vol. 50, No. 3, pp. 320–325. DOI: 10.1134/S1063782616030234 Яковлев Г.Е., Фролов Д.С., Зубкова А.В., Левина Е.Е., Зубков В.И., Соломонов А.В., Стерлядкин О.К., Сорокин С.А. Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования // ФТП, 2016. – т. 50, вып. 3, с. 324-330.
  34. Yakovlev, G., Frolov, D., Zubkov, V. Investigation of delta-doped pHEMT InGaAs/GaAs/AlGaAs structures by the electrochemical capacitance-voltage technique (2016) Journal of Physics: Conference Series, 690 (1), статья № 012015, DOI: 10.1088/1742-6596/690/1/012015
  35. Frolov, D., Zubkov, V. Estimation of doping density in low doped n-InAs by electrolyte-based capacitance-voltage measurements in the deep depletion mode (2016) Journal of Physics: Conference Series, 690 (1), статья № 012001 DOI: 10.1088/1742-6596/690/1/012001
  36. Zubkov, V.I., Evseenkov, A.S., Orlova, T.A., Zubkova, A.V. Monte Carlo Simulation of the Radiation Output from a Led Structure with Textured Interfaces, Russian Physics Journal, 58(8), 1172-1180, 2015. DOI: 10.1007/s11182-015-0628-0 В.И. Зубков, А.С. Евсеенков, Т.А. Орлова, А.В. Зубкова. Моделирование методом Монте-Карло вывода излучения из светодиодной структуры с текстурированными интерфейсами. Известия высших учебных заведений. Физика, 2015. т.58, №8. с.123-130.
  37. Frolov, D., Yakovlev, G., Zubkov, V. Measurements of doping density in InAs by capacitance-voltage techniques with electrolyte barriers (2015) Journal of Physics: Conference Series, 643 (1), статья № 012086, DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012086
  38. V.I. Zubkov, O.V. Kucherova, S.A. Bogdanov, A.V. Zubkova, J.E. Butler, V.A. Ilyin, A.V. Afanas'ev, A.L. Vikharev. Temperature admittance spectroscopy of boron doped CVD diamond. J. of Appl. Phys., 2015, v.118, p.145703. DOI: 10.1063/1.4932664
  39. Zubkov, V.I., Kucherova, O.V., Yakovlev, I.N., Solomonov, A.V. An automated system based on cryogenic probe station for integrated studies of semiconductor light-emitting structures and wafers in the range of 15 to 475 K (2015) Russian Microelectronics, 44 (3), pp. 203-209. DOI: 10.1134/S1063739715030099
  40. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, A.V. Zubkova, A.V. Osipov, T.A. Orlova, S.N. Rodin, S.A. Kukushkin. The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures // Materials Physics and Mechanics 21 (2014), p. 266-274.
  41. Zubkov, V.I., Yakovlev, I.N., Litvinov, V.G., Ermachihin, A.V., Kucherova, O.V., Cherkasova, V.N. Analysis of the electrostatic interaction of charges in multiple InGaAs/GaAs quantum wells by admittance-spectroscopy methods (2014) Semiconductors, 48 (7), pp. 917-923. DOI: 10.1134/S1063782614070227
  42. V. Zubkov, O. Kucherova, D. Frolov, A. Zubkova. Electrochemical profiling of heterostructures with multiple quantum wells InGaN/GaN. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2013, v.10, N 3, p.342–345. DOI: 10.1002/pssc.201200661
  43. Kucherova, O.V., Zubkov, V.I., Tsvelev, E.O., Yakovlev, I.N., Solomonov, A.V. Nondestructive diagnostics of nanoheterostructures with InGaN/GaN multiple quantum wells by thermal admittance spectroscopy (2011) Inorganic Materials, 47 (14), pp. 1574-1578. DOI: 10.1134/S0020168511140111
  44. Zubkov, V.I., Yakovlev, I.N., Koucherova, O.V., Orlova, T.A. Admittance spectroscopy as a method for investigating relaxation processes in quantum-sized heterostructures (2011) Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 75 (10), pp. 1406-1412. DOI: 10.3103/S1062873811100339
  45. Petrovskaya, A.N., Zubkov, V.I. Investigating the charge relaxation in semiconductor heterostructures with quantum wells by means of admittance spectroscopy (2011) Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 75 (10), pp. 1416-1422 DOI: 10.3103/S1062873811100273
  46. Kucherova, O.V., Zubkov, V.I., Solomonov, A.V., Davydov, D.V. Observation of localized centers with anomalous behavior in light-emitting heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells (2010) Semiconductors, 44 (3), pp. 335-340. DOI: 10.1134/S1063782610030115

Свидетельства о регистрации ПО и Патенты

  1. ПАТЕНТ №2437112 «Способ определения параметров полупроводниковых структур», от 20.12.2011
  2. ПАТЕНТ № 2802862 «Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых гетероструктурах», от 05.09.2023
  3. Программа для ЭВМ «Программа для автоматизации измерителя иммитанса E7-20 и измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых гетероструктур в диапазоне температур», свид-во о рег. № 2009615309 от 24.09.2009. Авторы: Яковлев И. Н.
  4. Программа для ЭВМ «Расчет параметров зонной структуры напряженных квантовых ям кубических полупроводников с учетом внутренних механических напряжений», свид-во о рег. № 2009615313 от 24.09.2009. Авторы: Зубков В. И., Кучерова О. В.
  5. Программа для ЭВМ «Самосогласованный расчет уравнений Шредингера и Пуассона в квантовом ящике в среде LabVIEW для построения вольт-фарадных характеристик», свид-во о рег. № 2009615314 от 24.09.2009 Авторы: Зубков В. И., Мельник М. А., Цвелев Е. О.
  6. Программа для ЭВМ «Моделирование энергетического спектра носителей заряда легированных гетероструктур с одиночными квантовыми ямами в реальном профиле энергетических зон: проводимости и валентной», свид-во о рег. № 2009615315 от 24.09.2009. Авторы: Зубков В. И., Петровская А. Н.
  7. Программа для ЭВМ «Самосогласованный расчет уравнений Шредингера и Пуассона в среде LabVIEW для построения вольт-фарадных характеристик гетероструктур с множественными квантовыми ямами», свид-во о рег. № 2009615316 от 24.09.2009. Авторы: Зубков В. И., Цвелев Е. О.
  8. Программа для ЭВМ «Управление автоматизированной системой измерения спектров адмиттанса полу-проводников в зависимости от температуры, частоты и приложенного смещения (Автоматизация измерителя адмиттанса)», свид-во о рег. № 2010615375 от 20.08.2010 Авторы: Кучерова Ольга Владимировна, Зубков В. И., Петровская А. Н., Яковлев И. Н.
  9. Программа для ЭВМ «Портативный измеритель вольт-амперных характеристик (измеритель ВАХ)» свид-во о рег. № 2011617157 от 14.09.2011 Авторы: Кучерова Ольга Владимировна, Зубков В. И., Фролов Д. С.
  10. Программа для ЭВМ «Моделирование характеристик гетероструктур с множеcтвенными квантовыми ямами (Self_MQW)», свид-во о рег. № 2012660617 от 26.11.2012. Авторы: Цвелев Е. О., Зубков В. И., Кучерова О. В., Петровская А. Н.
  11. Программа для ЭВМ «Расчет заряда, накапливаемого в гетероструктуре с множественными квантовыми ямами (Diff&Charge MQW)», свид-во о рег. № 2013610868 от 13.01.2013. Авторы: Зубков В. И., Петровская А. Н.
  12. Программа для ЭВМ «Расчет вывода излучения из светодиодной структуры методом Монте-Карло (Vivod izluchenia.vi)», свид-во о рег. № 2015611764 от 05.02.2015. Авторы: Евсеенков А. С., Зубков В. И.
  13. Программа обработки и представления результатов ECV-измерений: Свид-во о регистрации программы для ЭВМ. Рос. Федерация / Яковлев Г.Е.; заявитель и правообладатель Г.Е. Яковлев. – №2017661428; выд. 12.10.2017.