Оборудование в распоряжении коллектива
Диагностический комплекс спектроскопии адмиттанса на базе криогенной зондовой станции
В состав комплекса входят:
Измеритель иммитанса Agilent;
Криогенная зондовая станция Janis;
Температурный контроллер LakeShore;
Вакуумная станция с форвакуумным и турбомолекулярным насосами Pfeiffer.
Параметры:
диапазон температур 25 – 475 К,
частотный диапазон 20 Гц – 2 МГц,
диапазон смещений ± 40 В;
размер изучаемых образцов – до Ø2".
Запатентованный алгоритм для получения полной базы данных эксперимента за один температурный скан.
Измерение следующих зависимостей: Cp-G, Cp-D, Cp-Q, Cp-Rp, Cs-D, Cs-Q, Cs-Rs, Z-θ, Y‑θ, R-X, G-B, Idc-Vdc.
Математическая обработка и моделирование измеренных на установке спектров позволяют получить информацию:
- о концентрационном профиле носителей заряда в образце,
- об энергетической структуре активной области образца,
- об эффективности накопления носителей заряда в квантовой яме,
- о разрыве зоны проводимости → глубине квантовой ямы,
- о разбросе параметров по образцу,
- об относительной доли термополевой и туннельной составляющих эмиссии носителей заряда из одиночных и множественных квантовых ям
- о природе эмиссионных центров (одиночный глубокий уровень, дискретный уровень квантовой ямы, непрерывное распределение плотности энергетических уровней в кластерах и массивах квантовых точек),
- о положении уровней квантования и глубоких дислокационных и примесных уровней.
Полученная информация дает возможность определять основные электрофизические характеристики активной области структур и приборов.
Электрохимический профилометр ECV Pro (Nanometrics, USA)
- Исследуемые материалы: полупроводники IV группы (Si, a-Si:H, Ge, SiC), групп A3B5 (GaAs, GaP, InAs, InP) и A2B6 (ZnO, CdTe, HgCdTe), нитриды (GaN, AlGaN, InGaN, AlInN) и др.)
- Регистрируемая концентрация носителей заряда 1013 – 1020 см-3;
- Глубина профилирования 0.005 мкм – 50 мкм;
- Разрешение по глубине до 1 нм.
Метод позволяет осуществлять электрохимическое травление любых материалов, дает возможность определить тип проводимости слоя и позволяет профилировать многослойную эпитаксиальную структуру на любую глубину вплоть до подложки. Отличительной особенностью по сравнению с «классическим» C-V профилированием является снятие ограничения по максимальной глубине профилирования сильнолегированных структур (с концентрацией легирующей примеси более 1018 см-3).
Метод позволяет выявлять области с концентрацией, отличной от заявленной технологами. Следствием наличия таких областей может быть изменение локальных плотностей токов, что ведет к быстрой деградации прибора.
Сканирующий зондовый микроскоп Solver NEXT (NT-MDT, Россия)
Методы измерений:
- АСМ-измерения морфологии поверхности (контактный, бесконтактный, полуконтактный режимы)
- Метод отображения фазы
- Метод зонда Кельвина – распределение поверхностного потенциала
- Отображение сопротивления растекания
- Силовая и электрическая АСМ литография