Руководитель – д.ф.-м.н., проф. Василий Иванович Зубков. Основные направления научной работы: электрофизическая диагностика полупроводниковых материалов и структур. Реализованный в РЦ ФТТ комплекс взаимодополняющих методик исследования морфологии поверхности эпитаксиальных структур, а также электрофизических и оптических характеристик в диапазоне температур от криогенных до 200°C позволяет решать широкий круг задач в области физики и технологии наноразмерных гетероструктур.
В состав РЦ ФТТ входят кандидаты физико-математических наук, инженеры, аспиранты и магистранты. Исследуемые материалы и структуры микро, нано- и оптоэлектроники:
- гетеропереходы (AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs),
- квантовые ямы (InGaAs/GaAs, InGaN/GaN),
- квантовые точки (InGaAs/GaAs), смачивающие слои КТ (InAs/GaAs),
- дельта-слои, полупроводниковый алмаз.
Приборы: лазеры; светодиоды; фотоприемники; HEMT; HJT.
