«Способствовать развитию научного прогресса»: в ЛЭТИ впервые вручены премии имени Ж.И. Алферова

«Способствовать развитию научного прогресса»: в ЛЭТИ впервые вручены премии имени Ж.И. Алферова

Премия имени Нобелевского лауреата в области физики 2000 года, выдающегося российского ученого, педагога и общественного деятеля, выпускника Первого электротехнического была присуждена в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» впервые.

10.07.2020 389

В Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» состоялся Алферовский Форум, посвященный 90-летию со дня рождения академика Жореса Ивановича Алферова – лауреата Нобелевской премии по физике 2000 года, выдающегося советского и российского ученого, педагога и общественного деятеля, выпускника ЛЭТИ 1952 года.

В рамках мероприятия на кафедре фотоники состоялось открытие «R&D лаборатории возобновляемой энергетики им. Ж.И. Алферова». Кульминацией форума стала стендовая сессия докладов молодых ученых СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Двадцать три аспиранта, научных сотрудника и преподавателя представили свои доклады по приоритетным направлениям исследований и разработок университета – «Искусственный интеллект», «Человеко-машинный интерфейс», «Портативные медицинские системы и комплексы», «Передовые беспроводные технологии», «Электротехнологии и электроэнергетика».

Организатором сессии выступила кафедра фотоники СПбГЭТУ «ЛЭТИ» под руководством Сергея Анатольевича Тарасова. К 90-летнему юбилею Жореса Ивановича Алферова для молодых ученых, студентов и аспирантов, занимающихся перспективными научными исследованиями, была учреждена специальная премия, носящая его имя. Ее учредителем и одним из идейных вдохновителей выступил Фонд управления целевым капиталом (эндаумент-фонд) СПбГЭТУ «ЛЭТИ».

«Жорес Иванович Алферов был не только одним из самых выдающихся выпускников ЛЭТИ, но и нашим современником и первым меценатом созданного в 2015 году Эндаумент-фонда развития СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Всю свою жизнь он посвятил науке, научно-техническому прогрессу, и поэтому глубоко символично, что и после его ухода средства, вложенные им в эндаумент ЛЭТИ, в виде премии лучшим молодым исследователям способствуют развитию этого бесконечного процесса. В этом году мы ее учредили впервые. Надеюсь, она станет ежегодной».

Исполнительный директор Фонда управления целевым капиталом развития СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Сергей Петрович Литвинов

Премия нацелена на выявление и развитие творческого потенциала обучающихся и профессорско-преподавательского состава университета, распространение прогрессивных форм научного творчества, моральное и материальное поощрение молодых ученых СПбГЭТУ «ЛЭТИ», активно занимающихся научными исследованиями по приоритетным направлениям научных исследований СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Председателем конкурсной комиссии выступил руководитель научного и образовательного направлений СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Михаил Степанович Куприянов.

По итогам конкурса жюри были отобраны четыре лучших доклада. Ими стали:

  • Диплом I степени – Алена Юрьевна Гагарина, выпускница 4 курса бакалавриата факультета электроники. Доклад: «Пористые наночастицы кремния для персонализированной медицины» (Гагарина А.Ю., Спивак Ю.М., Мошников В.А).
  • Диплом II степени – Евгений Николаевич Воробьев, научный сотрудник НИИ «Прогноз». Доклад: «Распознавание малых воздушных целей в радиолокационных системах со сторонним подсветом» (Воробьев Е.Н., Плотницкая Е.С).
  • Диплом III степени – Александр Сергеевич Кукаев, доцент кафедры ЛИНС. Доклад: «Разработка микрогироскопов на поверхностных акустических волнах» (Кукаев А.С., Сафронов Д.В., Шевченко С.Ю., Лукьянов Д.П).
  • Диплом III степени – Юрий Юрьевич Перевалов, старший преподаватель кафедры ЭТПТ. Доклад: «Интеллектуальные энергосберегающие системы индукционной термической обработки крупногабаритных стальных изделий».

Общий размер денежной суммы, выделенной на премии, составил 200 тысяч рублей. Но главной наградой для лауреатов премии имени Ж.И. Алферова стало признание их научных работ, главная цель которых – достижение нового качества жизни людей.