Полупроводниковая оптоэлектроника

«Полупроводниковая оптоэлектроника» - программа подготовки в магистратуре СПбГЭТУ «ЛЭТИ» в рамках направления 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».

«Полупроводниковая оптоэлектроника» - программа подготовки в магистратуре СПбГЭТУ «ЛЭТИ» в рамках направления 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».

Общая информация о программе

Срок получения образования по программе магистратуры в очной форме обучения, составляет 2 года.

Образовательная программа «Полупроводниковая оптоэлектроника» направлена на подготовку магистров в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов (светодиодов, лазеров, и т.д.), фотоприемников и солнечных элементов, связанной с разработкой, технологией, исследованием и применением материалов и приборов опто-, микро- и наноэлектроники и, в конечном итоге, с наукоемким эффективным производством на их основе. Ориентирована на подготовку магистров для электронной промышленности в области разработки и производства компонентов и материалов для оптоэлектроники, микро- и нанофотоники.

Область профессиональной деятельности выпускников кафедры по специализации “Полупроводниковая оптоэлектроника” включает совокупность средств, способов и методов, связанных с теоретическими и экспериментальными исследованиями, математическим и компьютерным моделированием, проектированием, конструированием, технологией производства, использованием и эксплуатацией материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники различного функционального назначения.

 

Выпускающая кафедра

Базовая кафедра оптоэлектроники (при ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН). Организована Нобелевским лауреатом, академиком Алферовым Жоресом Ивановичем в 1973 г., зав. кафедрой ОЭ с 1973 по 2003 г.г.

Руководитель программы

Устинов Виктор Михайлович

Зав. кафедрой Оптоэлектроники

Член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н., профессор, руководитель лаборатории физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, директор НТЦ Микроэлектроники РАН, лауреат Государственной премии РФ

Особенности программы

Практические навыки студенты получают в научных лабораториях, оснащенных современным технологическим, диагностическим и экспериментальным оборудованием, входящих в состав следующих научных подразделений ФТИ им. Иоффе РАН:

Направлениями научно-исследовательской работы являются:

  • Физика и технология полупроводниковых нано- и гетероструктур и приборы на их основе
  • Генерация, распространение и преобразование излучения в полупроводниковых  волноводных гетероструктурах
  • Физика конденсированного состояния
  • Фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии
  • Материаловедение и электронная микроскопия электронных материалов
  • Физика и технология широкозонных полупроводников и приборов на их основе
  • Многокомпонентные твердые растворы А3 В5 для среднего инфракрасного диапазона и приборы на их основе, включая полупроводниковые лазеры и фотоприемники
  • Теоретическое и экспериментальное изучение электрических и оптических явлений в низкоразмерных полупроводниковых структурах
  • Оптика твердого тела,  Интегральная оптика, Теория твердого тела
  • Физика низкоразмерных систем; Биофизика
  • Исследование светодиодов, излучающих в зеленом, синем и ультрафиолетовом спектральных диапазонах, исследование и создание белых светодиодов

 

Дополнительные возможности обучающихся

Зарубежные стажировки: Технический университет г. Лапперанта (Финляндия), Университетский колледж Лондона (Англия), Университет г. Сент-Андрюс (Шотландия), Иннолюм (г.Дортмунд, Германия) и др.

Трудоустройство выпускников

Выпускники востребованы на таких предприятиях как: ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН (С.-Пб.); НТЦ микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН (С.-Пб.); C.-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики; С.-Петербургский государственный политехнический университет; Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород);ОАО "Светлана" (С.-Пб.); ОАО "Сатурн" (Москва); ФГУП НИИ "Полюс" (Москва)