Электроника и наноэлектроника. Экстремальная электроника

Направление готовит исследователей и разработчиков в области технологии материалов и наноструктур и экстремальной электроники.

Основные данные для поступающих

Код специальности 11.03.04
Квалификация Бакалавр
Формы обучения и количество мест  Количество мест для приёма
Период обучения 4 года + 2 года в магистратуре
Выпускающие факультеты Факультет электроники
Вступительные испытания (ЕГЭ) Математика, Русский язык, Физика или информатика
Проходной балл
очная форма обучения (бюджет)
средний за 3 последних года
219

Из процесса обучения

В результате обучения по профилю экстремальная электроники студент получит знания в таких областях как диэлектрические и магнитные материалы и приборы, технология материалов и наноструктур, гибкая электроника, экстремальная электроника, основы планарной технологии, функциональной микроэлектроники, разработка микропроцессоров.

Основные дисциплины

  • Физика
  • Материалы электронной техники
  • Компоненты электронной техники
  • Диэлектрические и магнитные материалы и приборы
  • Технология материалов и наноструктур
  • Основы планарной технологии
  • Функциональной микроэлектроники
  • Материаловедение
  • Биофизика
  • Микросхемотехника

Практики

Студенты проходят технологические, производственные и научно-исследовательские практики на предприятиях по производству электронных компонентов и устройств, в НИИ и КБ, в лабораториях факультета или в месте написания своей будущей выпускной квалификационной работы.

Результаты освоения программы

Обучаясь по этому профилю, вы сможете выращивать свои собственные наноструктуры (кристаллы кремния, германия, эпитаксиальные тонкие пленки и пр.). В процессе обучения студенты имеют возможность активно заниматься научной работой в передовых лабораториях кафедры.

Во время обучения на данном направлении у вас будет возможность пройти практику и написать выпускную квалификационную работу в одном из крупнейших центров микро и наносистемной диагносте во всей России и Европе (ЦМИД).

 Также вы можете принимать активное участие в одной и множества научных групп кафедры, которые работаю в следующих областях:

  • Физика и технология естественных сверхрешеток широкозонных полупроводников и приборов на их основе.
  • Полупроводниковые соединения AIIIBV, гетероструктуры и наноструктуры для опто- и наноэлектроники.
  • Физика и технология нанокомпозитов на основе оксидов и халькогенидов элементов IV группы.
  • Физика и технология электролюминесцентных приборов на основе широкозонных полупроводников.
  • Оптическая и емкостная спектроскопия квантово-размерных систем.
  • Микросистемная техника.
  • Физика и технология электролюминесцентных приборов, основанных на тонких и толстых пленках широкозонных полупроводников и ряда других.

Учебно-научные лаборатории, ведущие подготовку по профилю

Физико-химические основы технологии материалов электронной техники Физика твердого тела Экспериментальные методы исследований Твердотельная электроника Технология материалов и изделий электронной техники Материалы оптоэлектроники Оптическая и квантовая электроника Микросхемотехника Диагностика материалов и структур Процессы микро- и нанотехнологии Магнитные материалы и компоненты САПР изделий электронной техники Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и ИМС Оптика полупроводников.

Выпускающая кафедра

Инфраструктура

  • Учебные аудитории, оборудованные современными мультимедийными средствами;
  • На каждой кафедре есть учебно-научные лаборатории по профилю кафедры оборудованные высокотехнологичными установками, знакомство с которыми для студентов начинается с первых курсов;
  • Специализированные лаборатории на предприятиях, в том числе и входящих в технопарк ЛЭТИ, например, «Центр микротехнологии и диагностики»;
  • На территории СПбГЭТУ «ЛЭТИ» находятся кафе, столовые, банкоматы, платежные терминалы.

Будущая карьера

Для обеспечения высокого качества подготовки и конкурентоспособности выпускников факультет уделяет большое внимание интеграции и сотрудничеству с работодателями и стратегическими партнерами, в числе которых:

SIEMENS; SAMSUNG ELECTRONICS; LG ELECTRONICS; Hon Hai Precision Industry (Foxconn); NOKIA; Bosch; HEVEL Solar; ОАО «Газпром»; МЕГАФОН; Физико-технический институт РАН; ФГУП ЦНИИ «Гидроприбор»; ОАО «Светлана»; ЗАО «Оптоган»; ЗАО «ЭлТех СПб»; Институт лазерной физики НПК ГОИ; ГУП НПП «Электрон-оптроник»; ОАО НПП «Буревестник»; ОАО ЦНИОИ «Электрон»; НПО «Радар-ММС»; Ассоциация предприятий радиоэлектроники, приборостроения, средств связи и инфотелекоммуникаций и др.

Ключевые моменты

  • образование базируется на глубокой естественнонаучной подготовке, направленной на развитие творческих способностей учащихся, поэтому среди выпускников ФЭЛ есть лауреат Нобелевской премии, много ученых, инженеров, успешных бизнесменов, поэтов и музыкантов;
  • обучение проводится на высокотехнологичном оборудовании с использованием современных информационных технологий;
  • практики в ведущих российских и международных компаниях и предприятиях Санкт-Петербурга.

Международные стажировки и обучение

Студенты ФЭЛ ежегодно ездят на стажировки в Германию, Великобританию, Финляндию, Францию, Швейцарию и др., результатом которых становятся получение сертификатов и дипломов европейского образца. На последних курсах лучшие студенты имеют возможность обучаться по программе «Два диплома». Ниже представлены основные университеты, с которыми сотрудничает ФЭЛ:

Дрезденский технический университет (Германия); Ганноверский технический университет (Германия); Университет г. Кайзерслаутерн (Германия); Университет г. Вупперталь (Германия); Университет г. Мюнхен (Германия); Технический университет г. Берлин (Германия); Научно-исследовательский центр г. Юлих (Германия); Кембриджский университет (Великобритания); Университет г. Сент-Андрюс (Великобритания); Университет г. Бирмингем (Великобритания); Университет г. Глазго (Великобритания); Технический университет Лиссабона (Португалия); Университет штата Южная Каролина (США); Техасский технический университет (США); Университет штата Колорадо (США); Университет г. Труа (Франция); Университет Бен Гуриона (Израиль); Лаппеенрантский технологический университет (Финляндия); Университет г. Оулу (Финляндия); Чалмерский технический университет (Швеция).

Партнеры

Контактная информация

+7 812 325-87-05, +7 812 346-29-23
prcom@etu.ru
Заполнить заявление
Другие направления бакалавров и специалистов